Samsung kompaniyasi 2025-yil oxirigacha ommaviy ishlab chiqarishni yo‘lga qo‘yish maqsadi bilan yangi HBM4 xotirasini sinovdan o‘tkazishni boshladi. Bu rejalashtirilganidan olti oy oldin. Yangi xotira avlodi oldingi HBM3E versiyasiga nisbatan ma'lumotlarni uzatish tezligini 66 foizga oshirishi va saqlash hajmini oshirishi kutilmoqda.
Kompaniya HBM4 uchun mantiqiy chip dizaynini yakunladi va 4nm texnologik texnologiyada sinov ishlab chiqarishni boshladi. Bu ish D1c ixtisoslashtirilgan ob'ektida amalga oshirilmoqda. Yangi xotira 2 TB/s gacha ma’lumotlarni uzatish tezligini ta’minlashi va 6,4 GT/s o‘tkazish qobiliyatiga ega 2048 bitli interfeysni qo‘llab-quvvatlashi kutilmoqda. Bundan tashqari, HBM4 48 GB gacha sig'imga ega bo'ladi, bu joriy yechimdan 33% ko'proq.
Yangi avlod xotirasi Nvidia’ning 2026-yilda chiqishi kutilayotgan Rubin GPU platformasida qo‘llaniladi.